科赋 DDR5 海力士 M-Die 内存超频 6800C32 作业及心得

内存简介

科赋 DDR5 系列介绍

科赋原厂海力士 4800MT/s M-Die 系列

工包 OEM 版

KD5AGUA80-48G4000

16GB 单条

零售版

KD5AGUA80-48G400A

16GB 单条

KD5AGUA80-48G400D

32GB 套装(16GBx2)

我这边分别买的是 2 条 16G 组成 32G,并不是购买 32G 的套装,实际上 32G 套装并不一定是连号的,所以并不会更好超频,只是说大概率会好点。

😂其实我是为了省钱,因为分别买 2 条 16G 比直接买 32G 套条会便宜 100 左右。

测试平台介绍

  • 处理器:i7-12700K 全默认,我劝你别超🙂
  • 散热器:利民 Frozen Magic EX360
  • 主板:微星 MEG Z690I Unify @ BIOS 1.91
  • 内存:科赋 DDR5 4800 裸条 16G x2 KLEVV KD5AGUA80-48G400A
  • 内存马甲:闲鱼买的。
  • 内存散热:内存顶部背着 3 只 4010 建准小风扇,主板 USB 2.0 取电,满速太吵,用电阻减速,效果很一般,满载只能降低 5-6 度左右吧。
    升级内存散热为 2 只千红 6020 4PIN PWM 风扇,具体看下面这篇文章:
记一次巨资定制的 ITX DDR5 内存散热支架

超频成果

AIDA64 内存测试结果:

Intel® Memory Latency Checker 英特尔内存延迟工具测试结果:

AIDA64 FPU 单烤过程中同时运行 TestMem5 1usmus_v3 内存稳定性测试通过:

y-cruncher 快速测试通过:

刚发布本文的时候,原以为以上测试通过了肯定啥测试都能过了,没想到尝试了一下通宵跑 MemTestPro,结果出现了零星的几个错误。于是经过不断的排查,最终定位到问题出在 CPU VDDQ TX 电压上了。将 VDDQ TX 电压从默认的1.45V 调整到 1.39V 即可通过 MemTestPro 通宵测试,同时也测试了大概 40+ 圈耗时几个小时的 YC 测试,这下敢说没啥压力了,在此期间,斥巨资设计了一块6cm ~ 14cm 全尺寸风扇兼容的内存散热风扇支架(这个后面单独发文介绍)。

MemTestPro 压力测试失败
MemTestPro 压力测试通过
y-cruncher_N64 彻夜 280 圈地狱测试通过

作业参考

基于微星 MEG Z690I UNIFY 这块主板,其他主板仅供参考。

内存电压 PMIC 解锁设置

普条内存超频必须先解锁 PMIC 电压。

在 OC 菜单内,找到 Advanced DRAM Configuration \ DRAM PMIC FeaturesSpecial PMIC Unlock 设置为 Enabled 即可解锁内存 PMIC 电压。

PMIC 电压解锁后,要先重启电脑再次进入 BIOS 后才会生效,所以修改频率前,必须先重启一次,否则内存电压调整不会生效。

内存频率及电压设置

内存频率关键设置项:

  • DRAM Reference Clock – 100MHz
  • CPU IMC : DRAM Clock – Gear2
  • DRAM Frequency – 6800 G2 (68x1000MHz)
  • Memory Fast Boot – Slow Training
  • Memory Fast Boot When OC Fail – Disabled

内存电压关键设置项:

  • CPU VDDQ Voltage – 1.395V
  • DRAM Voltage – 1.500V
  • DRAM VDDQ Voltage – 1.500V
  • DRAM VPP Voltage – 1.800V

关于Memory Fast Boot 的说明:
有些教程建议这边选 Disabled,就是禁用内存快速检测,从字面意思我感觉选这个缓慢训练的意思,内存在超频后,BIOS 都会进行 Training 训练,其实就是检测,内存检测通过后才会开机,所以为了避免超频导致内存问题,我希望可以完全通过 BIOS 的内存检测,所以选择 Slow Training。

关于Memory Fast Boot When OC Fail 的说明:
这个选项的意思是,当内存超频失败后,是否开启内存快速启动。
因为很多是否内存即使不稳定,也可以正常进入系统,只不过会死机蓝屏而已,这边为了避免这种情况,我推荐 Disabled,也就是内存超频失败以后也不允许内存快速启动。

关于内存电压的说明:
简而言之,目前我用的这个电压是可以通过各种压力测试了,内存散热器目前能稳压温度,所以不想去摸电压了,理论上可以慢慢调低看最终能稳定到多少,但是根据我几个月来的经验,完全没欲望再去调个 0.0 几 V 电压然后跑通宵的压力测试了,实在是太费劲了。
按照现有的资料开看,科赋这对 DDR5 普条,CPU VDDQ Voltage 的电压在高频状态下,一定要低于 CPU VDD2 Voltage 才行。

内存时序相关设置

主时序设置 – Main Timing Configuration

😎 优化后

  • Command Rate – 2N
  • tCL – 32
  • tRCD – 39
  • tRP – 39
  • tRAS – 28
  • tRFC2 – 383

😫 优化前(BIOS 默认值)

  • Command Rate – 2N
  • tCL – 40
  • tRCD – 40
  • tRP – 40
  • tRAS – 76
  • tRFC2 – 543

主时序对性能有着最大的影响,当然对稳定性影响也是巨大的。
没有啥特别说明的,能降 1 个点也是好的。
这套参数是我的极限了,一点都压不动了。

子时序/二级时序设置 – Sub Timing Configuration

😎 优化后

  • tRFCPB – 311
  • tREFI – 262143
  • tRRD – 4
  • tRRD_L – 8
  • tFAW – 16
  • tCKE – 4

😫 优化前(BIOS 默认值)

  • tRFCPB – 441
  • tREFI – 4680
  • tRRD – 20
  • tRRD_L – 30
  • tFAW – 32
  • tCKE – 26

tREFI 默认拉到最大,对压力测试速度和内存读写性能都有很大的帮助。
其他参数对读写性能影响比较小,但对内存延迟有所帮助,而且 BIOS 默认给的参数太难看,所以最好压一下。

回转时序/三级时序设置 – Turn Around Timing Configuration

😎 优化后

  • tRDRDSG – 12
  • tRDRDDG – 8
  • tWRWRSG – 12
  • tWRWRDG – 8
  • tWRRDSG – 64

😫 优化前(BIOS 默认值)

  • tRDRDSG – 18
  • tRDRDDG – 8
  • tWRWRSG – 36
  • tWRWRDG – 8
  • tWRRDSG – 72

tRDRDSG tRDRDDG tWRWRSG tWRWRDG 这 4 个时序对内存的读写复制性能有巨大影响,能低则低,tWRWRDG 其实还可以压到 7 ,tWRWRSG 其实还可以压到 11,但是稳定性会有所影响,带来的性能提升也微乎其微了,所以不建议压得太紧了。

高级时序设置 – Advanced Timing Configuration

😎 优化后

  • tWRPRE – 48
  • tXP – 4
  • tWRPDEN – 48
  • tCPDEN – 8

😫 优化前(BIOS 默认值)

  • tWRPRE – 132
  • tXP – 26
  • tWRPDEN – 132
  • tCPDEN – 17

tWRPRE tWRPDEN 这两个时序,BIOS 默认给得太差了,所以压一下。这几个都会对内存延迟有点帮助。

内存降压设置

Power Down Mode – Disabled

应该和内存闲时降低电压以降低功耗达到节能目的,为了超频稳定性,咱就不吝啬这么点功耗了。

细节及心得分享

以下是我超频这对科赋 DDR5 内存半年后总结出来的几点心得。

  • DDR5 内存超频一定要考虑散热问题!
  • 在确保散热的范围内先通过调整内存电压摸能开机的最高频率。
  • 降低一档频率后,再根据 BIOS 默认给的时序进一步优化时序。
  • 单独的 TM5 压测是不靠谱,不管哪个版本的测试脚本。
    • 最基本的稳定性要求是:TM5 1us + AIDA64 单烤 FPU。
    • PUBG 不崩的稳定性要求是:2000% 的 MemtestPro 或 100圈以上的 y-cruncher。

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